芯片巨头开始追赶,即将量产的7nm芯片,性能相当于台积电5nm

今年2月,芯片巨头英特尔迎来了新任CEO——帕特·基辛格。与上一任英特尔领导人沉稳的作风不同,帕特·基辛格对于技术要求更偏激,上任后不久就通过演讲的形式公布了数项宏大的计划。

据悉,英特尔将斥资200亿美元在美国建立两座芯片代工工厂帕特·基辛格毫不掩饰野心地表示,公司希望未来可以为苹果代工生产自研芯片。可以看出,英特尔建立芯片代工工厂的目的非常明确,就是要取代三星、台积电。

另外,英特尔还宣布自家10nm处理器将在今年第三季度发布,而7nm处理器也即将进行量产。

众所周知,对于芯片代工厂商而言,技术和客户是立足市场的根本。英特尔本身就是芯片设计巨头,因此根本无需为订单发愁。那么,技术就成为了阻挡英特尔反超三星、台积电的关键。

众所周知,目前英特尔的芯片设计能力和芯片制造能力都停留在7nm级别,并且都没有彻底解决所遇到的难题。这导致很多用户并不看好英特尔在代工市场的表现,但事实上,英特尔与头部代工厂商的技术差别其实并没有想象的那般大。

荷兰光刻机巨头ASML副总裁在接受采访时表示,英特尔所研发的7nm工艺,性能与台积电、三星5nm工艺处在同一水准。

这种说法其实并非没有依据,英特尔7nm标准与台积电和三星的7nm标准并不相同。目前,台积电和三星都是用晶体管栅极长度来命名工艺水平,而英特尔则通过“每平方毫米内百万个晶体管”这种标准化的密度指标来衡量制程。

技术发展过程中,曾出现过的制程工艺升级,但是密度没有提升的情况,因此用密度来命名工艺的英特尔就显得有些吃亏。

此前,英特尔曾宣布10nm制程工艺的晶体管密度,已经达到100.8 MTr/平方毫米,台积电7nm则113.9 MTr/平方毫米

结合英特尔发布的7nm晶体管密度比10nm提升2.4倍信息来看,在台积电5nm晶体管密度只比7nm提升1.8倍的情况下,称英特尔7nm等效于台积电5nm完全没有任何问题。

甚至,这种说法还相对保守。即便是即将发布5nm增强版技术,与英特尔也是处在同一水准。如此看来,英特尔只要按计划推出7nm,那么取代台积电地位,并非不可能。

文/JING 审核/子扬 校正/知秋

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